SPD30P06P
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | SPD30P06P |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.7mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 21.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1535 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Grundproduktnummer | SPD30P |
SPD30P06P Einzelheiten PDF [English] | SPD30P06P PDF - EN.pdf |
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
SPD30P06PG I
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
INFINEON TO-252
INFINEON TO-252
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MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
INFINEON TO-252
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INFINEON TO-252-2
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SPD30P06PGTM INFINEON
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
CCSEMI TO-252
INF/CCS TO-252
SPD30P06P G Infineon Technologies
2024/06/6
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